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南大光电自主研发的 ArF 光刻胶通过验证

发布时间:2020-12-18 来源:IT之家

南大光电发布公告称,其控股子公司 “宁波南大光电”自主研发的 ArF(193nm)光刻胶 产品近日成功通过客户的使用认证。报告显示,“本次认证选择客户 50nm 闪存产品中的控制栅 进行验证,宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求,良率结果达标。”

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  “ArF 光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家 “02 专项”的一个重点攻关项目。本次产品的认证通过,标志着 “ArF 光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破,成为 国内通过产品验证的第一只国产 ArF 光刻胶

  据了解,光刻胶是半导体芯片制造过程中的核心材料之一 ,经过紫外光、电子束等照射,光刻胶得到曝光,化学性质发生改变,经过显影液的洗涤,图案会留在衬底上。光刻胶分为 KrF(248nm)、ArF(193nm)和 EUV(13.5nm)几种,括号中的数值为曝光光源的波长。

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